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SiCMOSFET产品
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寄生电容小，开关速度快;开关损耗极低，适用于高频工作;开关损耗与温度无关，适用于高温工作;驱动简单，使用方便;6英寸薄片工艺，芯片厚度180um，热阻低，散热好;电流密度高，便于模块集成封装;

发布时间：2022-08-17  阅读：327次
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